廣泛的測量對象
無源元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、變壓器、芯片組件和網絡元件等的阻抗參數測量。
半導體元件：電容器、電感器、磁芯、電阻器、變壓器、芯片組件和網絡元件等的阻抗參數測量?！ ∑渌河≈齐娐钒濉⒗^電器、開關、電纜、電池等的阻抗評估。 介質材料：塑料、陶瓷和其它材料的介電常數的損耗角評估。
磁性材料：鐵氧體、非晶體和其它磁性材料的導磁率和損耗角評估。
半導體材料：半導體材料的介電常數,導電率和C-V特性。
液晶材料：液晶單元的介電子常數、彈性常數等C-V特性。
多種元件、材料特性測量能力 揭示電感器件的多種特性 TH2828/A**的性能和20Hz-1MHz的測試頻寬可以**地分析磁性材料、電感器件的性能。
使用TH10301選件的100mADC的偏置電流可以**測量高頻電感器件、通訊變壓器，濾波器的小電流疊加性能。使用TH1775電流疊加裝置，可使偏置電流達40A以**分析高功率、大電流電感器件。
**的陶瓷電容測量 1kHz和1MHz是陶瓷材料和電容器的主要測試頻率。陶瓷電容器具有低損耗值的特征，同時其容量、損耗施加之交流信號會產生明顯的變化。 儀器具有寬頻測試能力并可提供良好的準確度，六位分辨率和自動電平控制(ALC)功能等，中以滿足陶瓷材料和電容器可靠、準確的測試需要。
液晶單元的電容特性測量 電容-電壓(C-Vac)特性是評價液晶材料性能的主要方法，常規儀器測量液晶單元的C-Vac特性遇到一個問題是*大測試電壓不夠。 使用TH10301選件可提供分辨率為1%及*高達20Vms的可編程測試信號電平，使它能在*佳條件下進行液晶材料的電容特性測量。
半導體材料和元件的測量 進行MOS型半導體制造工藝評價時，需要氧化層電容和襯底雜質密度這些參數，這些可從C-Vdc特性的測量結果推導出來?！ ?0HZ-1 MHz的測量頻寬及高達40VDC的可編程偏置電壓方可方便地完成C-VDC特性的測量。
為了測試晶圓上的半導體器件，需要延伸電纜和探頭，儀器的2m/4m延伸電纜選件可將電纜延伸的誤差降至*小。 各種二極管、三機管、MOS管的分布電竄也是本儀器的測試內容。
公安機關備案號：
