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英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則
要想搭建一個優(yōu)良的電力電子系統(tǒng)，正確的功率器件選型首當其沖。然而很多新入行的同學恐怕會對IGBT冗長的料號看不懂，但實際上功率器件的命名都是有規(guī)律可循的。幾個字母和數字，便能反映比如電壓/電流等級、拓撲、封裝等等豐富的信息。如果熟悉了命名規(guī)則，不用看規(guī)格書，就能對器件特性了解個大概。想對英飛凌的IGBT產品有更多的了解：IGBT-絕緣柵雙極晶體管-InfineonTechnologies先來看下英
發(fā)布時間：2024-06-15 22:02
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英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2
英飛凌科技股份公司推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統(tǒng)和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新的CoolSiC?MOSFET650V和1200VGeneration2技術在確保質量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。 CoolSiC?MOSFETGeneration2(G2)
發(fā)布時間：2024-04-09 20:40
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英飛凌全新4.5 kV XHP? 3 IGBT模塊讓驅動器實現(xiàn)尺寸小型化
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出了4.5kVXHP?3IGBT模塊，旨在從根本上改變采用兩電平和三電平拓撲結構且使用2000V至3300V交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運輸應用的格局。這款新半導體器件將給諸多應用帶來裨益，包括大型傳送帶、泵、高速列車、機車以及商用、工程和農用車輛（CAV）。 XHP系列包括一款帶有一個發(fā)射極控制續(xù)流二極管的TRENC
發(fā)布時間：2023-12-26 20:57
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英飛凌推出CoolSiC產品組合，實現(xiàn)高效率和功率密度
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產品。其采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H碳化硅（SiC）MOSFET技術。該封裝使SiC能夠應用于250kW以上的中等功率等級應用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術在這一功率等級應用的的功率密度已達極限值。相比傳統(tǒng)的62mmIGB
發(fā)布時間：2023-11-30 16:30
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英飛凌推出第七代分立式650V H7新品
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX：IFNNY）推出分立式650VIGBT7H7新品，進一步擴展其第七代TRENCHSTOP?IGBT產品陣容。全新器件配備**的EC7共封裝二極管，先進的發(fā)射器控制設計結合高速技術，以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOPIGBT7H7采用*新型微溝槽柵技術，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此
發(fā)布時間：2023-10-11 21:20
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英飛凌擴展1200 V 62 mm IGBT7 產品組合模塊
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200VTRENCHSTOP?IGBT7芯片的62mm半橋和共發(fā)射極模塊產品組合。模塊的*大電流規(guī)格高達800A，擴展了英飛凌采用成熟的62mm封裝設計的產品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供*大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優(yōu)良的電氣性能。新型模塊專為滿足集中式太陽能逆變器
發(fā)布時間：2023-08-08 21:20
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發(fā)布時間：2023-02-16 10:56
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英飛凌第7代IGBT7
英飛凌第7代IGBT7 亮點開發(fā)出的芯片由IGBT7和EC（發(fā)射極-控制）7二極管組成，能*好地滿足變頻通用驅動（GPD）的所有需求。具有優(yōu)良的控制能力，在所有與應用有關的電流等級下具有足夠的軟度，靜態(tài)損耗大幅降低，且抗短路能力強。結合EconoDUAL?3 封裝的改進和適應攻擊電機驅動英
發(fā)布時間：2022-12-15 11:24
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新潔能功率半導體命名規(guī)則介紹
新潔能致力于推廣性能**、質量穩(wěn)定并且**價格競爭力的全系列MOSFET產品。我們?yōu)殡娐吩O計師們提供**的產品選擇，擊穿電壓覆蓋-200V至300V，配合先進的封裝技術，為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。我們專注于持續(xù)改進MOSFET在電能轉換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度以及在苛刻環(huán)境下開關過程中的抗沖擊雪崩耐量，實現(xiàn)快速、平穩(wěn)的電源管理及電能轉換。通過采用先進的溝槽柵工藝技術和電流通路布
發(fā)布時間：2022-12-14 18:09
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英飛凌推出專為牽引驅動而優(yōu)化的全新IHM/IHV B功率模塊——*大運行溫度達+150°C，功耗大幅度削減，具備高功率循環(huán)能力
英飛凌科技公司IHM/IHVB系列的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊。運用這個全新的模塊，用戶可設計出能夠在嚴酷的環(huán)境下正常工作，**滿足大負荷與溫度循環(huán)要求的高效功率變頻器，如機車、列車和電車的牽引驅動裝置等。全新模塊擴展了英飛凌上一代IHM-A模塊的功能和規(guī)格，實現(xiàn)了熱阻性能的改善和負荷循環(huán)能力的提高，并將運行溫度提高至+150°C。與同等尺寸的傳統(tǒng)變頻器相比，基于這種全新高功率模塊設計的變頻
發(fā)布時間：2022-09-09 21:30
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英飛凌CoolSiC?功率模塊可將有軌電車的能耗降低10%
全球逐步淘汰化石燃料這一趨勢給包括交通運輸在內的許多行業(yè)都帶來了挑戰(zhàn)。舉例來說，整個社會向綠色出行方式轉型，就需要減少短途航班及駕車出行，而這勢必會促進軌道交通的發(fā)展。政府發(fā)布的減碳措施也印證了這一點：例如歐洲計劃提供高達數十億歐元的補貼來支持軌道交通的發(fā)展。隨著傳統(tǒng)的內燃機車、軌道車逐步被環(huán)保的電力機車所取代，交通運輸行業(yè)的變革也即將來臨。 為了滿足綠色出行的要求，業(yè)界必須以提高能源效率為主要目
發(fā)布時間：2022-03-09 20:55
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英飛凌推出專為工業(yè)設備和風車而優(yōu)化的功率模塊
英飛凌科技股份公司推出全新1200伏和1700伏電壓級功率模塊PrimePACKTM，其重量比同等功率的模塊低45%。英飛凌是目前**一家能夠生產如此緊湊高效的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的半導體廠商。該公司在PCIM2007展會暨研討會上推出的這種緊湊型IGBT模塊系列，可優(yōu)化功率轉換系統(tǒng)，廣泛適用于各種工業(yè)傳動裝置、風車、電梯、牽引機或輔助傳動裝置、火車與牽引車的電源和加熱系統(tǒng)等。Prim
發(fā)布時間：2021-12-08 21:40
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Infineon英飛凌模塊選型參考
Infineon英飛凌模塊型號解讀 FZ：一單元模塊 FF：兩單元模塊(半橋模塊) FP：七單元模塊(功率集成模塊) FD/DF：斬波模塊 F4：四單元模塊 FS：六單元模塊 DD：二極管模塊 400：Tc=80°C時的額定電流
發(fā)布時間：2020-06-23 19:04
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SEMIKRON賽米控IGBT模塊的命名規(guī)則
舉例： SKM100GB123DSKSK表示SEMIKRON的IGBT M表示應用技術或者模塊結構：M——表示采用MOS技術D——表示七單元模塊（即互相整流橋+1CBT斬波器）100表示集電極電流等級，條件Tcase =25℃時的Ic，單位為A
發(fā)布時間：2020-03-13 18:36
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英飛凌IGBT模塊的檢測方法
英飛凌IGBT模塊有三個電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)一、用指針式萬用表對英飛凌IGBT模塊場效應管進行判別（1）用測電阻法判別英飛凌IGBT模塊結型場效應管的電極根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電
發(fā)布時間：2019-06-06 12:23
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