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英飛凌IGBT模塊命名規則
要想搭建一個優良的電力電子系統，正確的功率器件選型首當其沖。然而很多新入行的同學恐怕會對IGBT冗長的料號看不懂，但實際上功率器件的命名都是有規律可循的。幾個字母和數字，便能反映比如電壓/電流等級、拓撲、封裝等等豐富的信息。如果熟悉了命名規則，不用看規格書，就能對器件特性了解個大概。想對英飛凌的IGBT產品有更多的了解：IGBT-絕緣柵雙極晶體管-InfineonTechnologies先來看下英
發布時間：2024-06-15 22:02
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英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2
英飛凌科技股份公司推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新的CoolSiC?MOSFET650V和1200VGeneration2技術在確保質量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。 CoolSiC?MOSFETGeneration2(G2)
發布時間：2024-04-09 20:40
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英飛凌全新4.5 kV XHP? 3 IGBT模塊讓驅動器實現尺寸小型化
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出了4.5kVXHP?3IGBT模塊，旨在從根本上改變采用兩電平和三電平拓撲結構且使用2000V至3300V交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運輸應用的格局。這款新半導體器件將給諸多應用帶來裨益，包括大型傳送帶、泵、高速列車、機車以及商用、工程和農用車輛（CAV）。 XHP系列包括一款帶有一個發射極控制續流二極管的TRENC
發布時間：2023-12-26 20:57
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英飛凌推出CoolSiC產品組合，實現高效率和功率密度
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H碳化硅（SiC）MOSFET技術。該封裝使SiC能夠應用于250kW以上的中等功率等級應用，而傳統IGBT硅技術在這一功率等級應用的的功率密度已達極限值。相比傳統的62mmIGB
發布時間：2023-11-30 16:30
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英飛凌推出第七代分立式650V H7新品
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX：IFNNY）推出分立式650VIGBT7H7新品，進一步擴展其第七代TRENCHSTOP?IGBT產品陣容。全新器件配備**的EC7共封裝二極管，先進的發射器控制設計結合高速技術，以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOPIGBT7H7采用*新型微溝槽柵技術，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此
發布時間：2023-10-11 21:20
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英飛凌擴展1200 V 62 mm IGBT7 產品組合模塊
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200VTRENCHSTOP?IGBT7芯片的62mm半橋和共發射極模塊產品組合。模塊的*大電流規格高達800A，擴展了英飛凌采用成熟的62mm封裝設計的產品組合。電流輸出能力的提高為系統設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供*大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優良的電氣性能。新型模塊專為滿足集中式太陽能逆變器
發布時間：2023-08-08 21:20
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發布時間：2023-02-16 10:56
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英飛凌第7代IGBT7
英飛凌第7代IGBT7 亮點開發出的芯片由IGBT7和EC（發射極-控制）7二極管組成，能*好地滿足變頻通用驅動（GPD）的所有需求。具有優良的控制能力，在所有與應用有關的電流等級下具有足夠的軟度，靜態損耗大幅降低，且抗短路能力強。結合EconoDUAL?3 封裝的改進和適應攻擊電機驅動英
發布時間：2022-12-15 11:24
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新潔能功率半導體命名規則介紹
新潔能致力于推廣性能**、質量穩定并且**價格競爭力的全系列MOSFET產品。我們為電路設計師們提供**的產品選擇，擊穿電壓覆蓋-200V至300V，配合先進的封裝技術，為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。我們專注于持續改進MOSFET在電能轉換過程中的系統效率和功率密度以及在苛刻環境下開關過程中的抗沖擊雪崩耐量，實現快速、平穩的電源管理及電能轉換。通過采用先進的溝槽柵工藝技術和電流通路布
發布時間：2022-12-14 18:09
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英飛凌推出專為牽引驅動而優化的全新IHM/IHV B功率模塊——*大運行溫度達+150°C，功耗大幅度削減，具備高功率循環能力
英飛凌科技公司IHM/IHVB系列的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊。運用這個全新的模塊，用戶可設計出能夠在嚴酷的環境下正常工作，**滿足大負荷與溫度循環要求的高效功率變頻器，如機車、列車和電車的牽引驅動裝置等。全新模塊擴展了英飛凌上一代IHM-A模塊的功能和規格，實現了熱阻性能的改善和負荷循環能力的提高，并將運行溫度提高至+150°C。與同等尺寸的傳統變頻器相比，基于這種全新高功率模塊設計的變頻
發布時間：2022-09-09 21:30
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英飛凌CoolSiC?功率模塊可將有軌電車的能耗降低10%
全球逐步淘汰化石燃料這一趨勢給包括交通運輸在內的許多行業都帶來了挑戰。舉例來說，整個社會向綠色出行方式轉型，就需要減少短途航班及駕車出行，而這勢必會促進軌道交通的發展。政府發布的減碳措施也印證了這一點：例如歐洲計劃提供高達數十億歐元的補貼來支持軌道交通的發展。隨著傳統的內燃機車、軌道車逐步被環保的電力機車所取代，交通運輸行業的變革也即將來臨。 為了滿足綠色出行的要求，業界必須以提高能源效率為主要目
發布時間：2022-03-09 20:55
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英飛凌推出專為工業設備和風車而優化的功率模塊
英飛凌科技股份公司推出全新1200伏和1700伏電壓級功率模塊PrimePACKTM，其重量比同等功率的模塊低45%。英飛凌是目前**一家能夠生產如此緊湊高效的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的半導體廠商。該公司在PCIM2007展會暨研討會上推出的這種緊湊型IGBT模塊系列，可優化功率轉換系統，廣泛適用于各種工業傳動裝置、風車、電梯、牽引機或輔助傳動裝置、火車與牽引車的電源和加熱系統等。Prim
發布時間：2021-12-08 21:40
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Infineon英飛凌模塊選型參考
Infineon英飛凌模塊型號解讀 FZ：一單元模塊 FF：兩單元模塊(半橋模塊) FP：七單元模塊(功率集成模塊) FD/DF：斬波模塊 F4：四單元模塊 FS：六單元模塊 DD：二極管模塊 400：Tc=80°C時的額定電流
發布時間：2020-06-23 19:04
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SEMIKRON賽米控IGBT模塊的命名規則
舉例： SKM100GB123DSKSK表示SEMIKRON的IGBT M表示應用技術或者模塊結構：M——表示采用MOS技術D——表示七單元模塊（即互相整流橋+1CBT斬波器）100表示集電極電流等級，條件Tcase =25℃時的Ic，單位為A
發布時間：2020-03-13 18:36
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英飛凌IGBT模塊的檢測方法
英飛凌IGBT模塊有三個電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發射極E(也稱源極)一、用指針式萬用表對英飛凌IGBT模塊場效應管進行判別（1）用測電阻法判別英飛凌IGBT模塊結型場效應管的電極根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電
發布時間：2019-06-06 12:23
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