可控硅元件符號(hào)--可控硅產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)中的符號(hào)說(shuō)明

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！單向可控硅元件：
通態(tài)平均電流IT：在環(huán)境溫度為+40℃和規(guī)定冷卻條件下，元件在電阻性負(fù)載的單相工頻正弦半波，導(dǎo)通角不小于170度的電路中，當(dāng)結(jié)溫穩(wěn)定并不超過(guò)額定結(jié)溫時(shí)，所允許的*大通態(tài)平均電流。
斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓VDSM：門(mén)極斷路時(shí)，在正向伏安特性曲線急劇彎曲處的斷態(tài)峰值電壓。
斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM：為不重復(fù)斷態(tài)峰值電壓的90％。
斷態(tài)不重復(fù)平均電流IDS：門(mén)極斷路時(shí)，在額定結(jié)溫下對(duì)應(yīng)于斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓下的平均漏電流。
斷態(tài)重復(fù)平均電流IDR：對(duì)應(yīng)于斷態(tài)重復(fù)峰值電壓下的平均漏電流。
門(mén)極觸發(fā)電流IGT：在室溫下，主電壓為6伏直流電壓時(shí)，使元件完全開(kāi)通所必須的*小門(mén)極直流電流。
門(mén)極觸發(fā)電壓VGT：對(duì)應(yīng)于門(mén)極觸發(fā)電流時(shí)的門(mén)極直流電壓。
斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt：在額定結(jié)溫和門(mén)極斷路時(shí)，使元件從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的*低電壓上升率。
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！雙向可控硅元件：
可控硅通態(tài)電流IT：在環(huán)境溫度為+40℃和規(guī)定冷卻條件下，元件在電阻性負(fù)載的單相工頻正弦半波電路中，當(dāng)結(jié)溫穩(wěn)定并不超過(guò)額定結(jié)溫時(shí)，所允許的*大通態(tài)電流有效值。
換向電流臨界下降率(di/dt)c：元件由一個(gè)通態(tài)轉(zhuǎn)換到相反方向時(shí)，所允許的*大通態(tài)電流下降率。
門(mén)極觸發(fā)電流IGT：在室溫下，主電壓為12伏直流電壓時(shí)，用門(mén)極觸發(fā)，使元件完全開(kāi)通所需的*小門(mén)極直流電流。
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斷態(tài)重復(fù)平均電流IDR：對(duì)應(yīng)于斷態(tài)重復(fù)峰值電壓下的平均漏電流。
門(mén)極觸發(fā)電流IGT：在室溫下，主電壓為6伏直流電壓時(shí)，使元件完全開(kāi)通所必須的*小門(mén)極直流電流。
門(mén)極觸發(fā)電壓VGT：對(duì)應(yīng)于門(mén)極觸發(fā)電流時(shí)的門(mén)極直流電壓。
斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt：在額定結(jié)溫和門(mén)極斷路時(shí)，使元件從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的*低電壓上升率。
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！雙向可控硅元件：
可控硅通態(tài)電流IT：在環(huán)境溫度為+40℃和規(guī)定冷卻條件下，元件在電阻性負(fù)載的單相工頻正弦半波電路中，當(dāng)結(jié)溫穩(wěn)定并不超過(guò)額定結(jié)溫時(shí)，所允許的*大通態(tài)電流有效值。
換向電流臨界下降率(di/dt)c：元件由一個(gè)通態(tài)轉(zhuǎn)換到相反方向時(shí)，所允許的*大通態(tài)電流下降率。
門(mén)極觸發(fā)電流IGT：在室溫下，主電壓為12伏直流電壓時(shí)，用門(mén)極觸發(fā)，使元件完全開(kāi)通所需的*小門(mén)極直流電流。
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！快速可控硅元件：
可控硅門(mén)極控制開(kāi)通時(shí)間tgt：在室溫下，用規(guī)定門(mén)極脈沖電流使元件從斷態(tài)至通態(tài)時(shí)，從門(mén)極脈沖前沿的規(guī)定點(diǎn)起到主電壓降低到規(guī)定的低值所需要的時(shí)間。
電路換向關(guān)斷時(shí)間tq：從通態(tài)電流降至零這瞬間起，到元件開(kāi)始能承受規(guī)定的斷態(tài)電壓瞬間止的時(shí)間間隔。