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解析單向可控硅的結構控制
解析單向可控硅的結構控制  
      單向可控硅為具有三個PN結的四層結構，由*外層的P層、N層引出兩個電極――陽極A和陰極K，由中間的P層引出控制極G。電路符號好像為一只二極管，但好多一個引出電極――控制極或觸發極G。SCR或MCR為英文縮寫名稱。
　　從控制原理上可等效為一只PNP三極管和一只NPN三極管的連接電路，兩管的基極電流和集電極電流互為通路，具有強烈的正反反饋作用。一旦從G、K回路輸入NPN管子的基極電流，由于正反饋作用，兩管將迅即進入飽合導通狀態。可控硅導通之后，它的導通狀態完全依靠管子本身的正反饋作用來維持，即使控制電流（電壓）消失，可控硅仍處于導通狀態。控制信號UGK的作用僅僅是觸發可控硅使其導通，導通之后，控制信號便失去控制作用。
　　單向可控硅的導通需要兩個條件：
　　1）、A、K之間加正向電壓；
　　2）、G、K之間輸入一個正向觸發電流信號，無論是直流或脈沖信號。
　　若欲使可控硅關斷，也有兩個關斷條件：
　　1）、使正向導通電流值小于其工作維持電流值；
　　2）、使A、K之間電壓反向。

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