單向可控硅為什么叫做“SCR”？有兩種命名可以解釋:
首先，我們看看有關半導體相關的名詞：
半導體：Semiconductor，
控  制：Controlled，
整流器：Rectifier

以上三組英文單詞的**個英文字母分別為：S、C、R，
組合成“SCR”，中文譯意為：半導體控制整流器。

又：
半導體是硅晶元的代名，
硅：Silicon，
控制 ：Controlled，
整流器：Rectifier。

這三組英文單詞的**個英文字母也組合成：“SCR”，
中文譯意為：硅可控整流器。

因此，硅可控整流器、也有人叫做 可控硅整流器。
也就是我們平常所說的“可控硅”了。

“SCR”是單向可控硅的統(tǒng)稱。
在這個命名前提下，各個生產(chǎn)商有其自己產(chǎn)品命名方式：
*早的MOTOROLA公司取**個字母“M”代表其公司，“CR”代表單向，因而組合成單向可控硅“MCR”的**代命名，代表型號：MCR100-6、MCR100-8。
日本三菱公司（現(xiàn)瑞薩科技）在單向可控硅器件命名上，
則去掉了“SCR”的**個字母“S”，以“CR”直接命名，
代表型號：CR02AM、CR03AM等等。
資料編輯：《可控硅在線》

 

 

雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”？

三端：TRIode（取前三個字母）
交流半導體開關：ACsemiconductor switch（取前兩個字母）
以上兩組名詞組合成“TRIAC”，
中文譯意“三端雙向可控硅開關”。
由此可見：TRIAC是雙向可控硅的統(tǒng)稱。

雙  向：Bi-directional（取**個字母）
控  制：Controlled（取**個字母）
整流器：Rectifier（取**個字母）

再由這三組英文名詞的頭個字母組合而成：“BCR”，中文譯意：雙向可控硅。
以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家 日本三菱，如：BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。

雙  向：Bi-directional（取**個字母）
三  端：TRIode（取**個字母）
由以上兩組單詞組合成“BT”，也是對雙向可控硅的產(chǎn)品命名。
意法ST公司、荷蘭飛利浦公司，均以此來命名雙向可控硅.
如：PHILIPS的BT134-600E、BT139-600E等。
而ST意法，則在“BT”后加“A”、“B”來表示絕緣與非絕緣。
組成：“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號命名，
代表型號如：BTA16-600B、BTB12-600C等等。
資料編輯：《中國可控硅》市場資訊部 

 

為什么要在晶閘管兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡

　　在實際晶閘管電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡，該網(wǎng)絡常稱為RC阻容吸收電路。

　　我們知道，晶閘管有一個重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的*低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管可以看作是由三個PN結(jié)組成。

　　在晶閘管處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當于一個電容C0。當晶閘管陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下，晶閘管誤導通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管上的陽極電壓上升率應有一定的限制。

　　為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管**運行，常在晶閘管兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡，利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的(變壓器漏感或負載電感)，所以與電容C串聯(lián)電阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過渡過程中，因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過電壓損壞晶閘管。同時，避免電容器通過晶閘管放電電流過大，造成過電流而損壞晶閘管。

　　由于晶閘管過流過壓能力很差，如果不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網(wǎng)絡就是常用的保護方法之一。v