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微電子技術
      
       微電子技術是隨著集成電路，尤其是超大型規模集成電路而發展起來的一門新的技術。微電子技術包括系統電路設計、器件物理、工藝技術、材料制備、自動測試以及封裝、組裝等一系列專門的技術，微電子技術是微電子學中的各項工藝技術的總和。微電子技術是在電子電路和系統的超小型化和微型化過程中逐漸形成和發展起來的，**次大戰中、后期，由于**需要對電子設備提出了不少具有根本意義的設想，并研究出一些有用的技術。1947年晶體管的發明，后來又結合印刷電路組裝使電子電路在小型化的方面前進了一大步。到1958年前后已研究成功以這種組件為基礎的混合組件。集成電路的主要工藝技術，是在50年代后半期硅平面晶體管技術和更早的金屬真空涂膜學技術基礎上發展起來的。1964年出現了磁雙極型集成電路產品。1962年生產出晶體管——晶體管理邏輯電路和發射極藉合邏輯電路。MOS集成電路出現。由于MOS電路在高度集成方面的優點和集成電路對電子技術的影響，集成電路發展越來越快。70年代，微電子技術進入了以大規模集成電路為中心的新階段。隨著集成密度日益提高，集成電路正向集成系統發展，電路的設計也日益復雜、費時和昂貴。實際上如果沒有計算機的輔助，較復雜的大規模集成電路的設計是不可能的。70年代以來，集成電路利用計算機的設計有很大的進展。制版的計算機輔助設計、器件模擬、電路模擬、邏輯模擬、布局布線的計算輔助設計等程序，都先后研究成功，并發展成為包括校核、優化等算法在內的混合計算機輔助設計，乃至整套設備的計算機輔助設計系統。集成電路制造的計算機管理，也已開始實現。此外，與大規模集成和超大規模集成的高速發展相適應，有關的器件材料科學和技術、測試科學和計算機輔助測試、封裝技術和超凈室技術等都有重大的進展。 電子技術發展很快，在工藝技術上，微細加工技術，如電子束、離子束、X射線等復印技術和干法刻蝕技術日益完善，使生產上在到亞微米以至更高的光刻水平，集成電路的集成棄將超大型越每片106—107個元件，以至達到全圖片上集成一個復雜的微電子系統。高質量的超薄氧化層、新的離子注入退火技術、高電導高熔點金屬以其硅化物金屬化和淺歐姆結等一系列工藝技術正獲得進一步的發展。在微電子技術的設計和測試技術方面，隨著集成度和集成系統復雜性的提高，冗余技術、容錯技術，將在設計技術中得到廣泛應用。 微電子的基本工藝包括 PHOTO ACTIH CMP WAT 等，0.18 0.22 90納米工藝等。

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