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mosfet和三極管有啥區(qū)別
mosfet和三極管有啥區(qū)別 觸發(fā)條件看:
MOSFET是電壓觸發(fā)器件,也就是說,當(dāng)G,S兩極加電壓到一定程度時,D,S兩極就導(dǎo)通
Transistor是電流觸發(fā)器件,也就是說,當(dāng)b極電流有個小變化,c極電流就有個大變化,

從作用條件看:
MOSFET通常是為了獲得一個電壓,有以下驅(qū)動方式:1.通過MOS Driver2.Photocoupler(帶安規(guī)隔離),3.脈沖變壓器(分上管,下管) 4.PWM開關(guān)模式,常開
三極管:常講的信號放大作用,這也是三極管的基本特性. 觸發(fā)條件看:
MOSFET是電壓觸發(fā)器件,也就是說,當(dāng)G,S兩極加電壓到一定程度時,D,S兩極就導(dǎo)通 mosfet和三極管有啥區(qū)別mosfet和三極管有啥區(qū)別 mosfet和三極管有啥區(qū)別 mosfet和三極管有啥區(qū)別
Transistor是電流觸發(fā)器件,也就是說,當(dāng)b極電流有個小變化,c極電流就有個大變化,

從作用條件看:
MOSFET通常是為了獲得一個電壓,有以下驅(qū)動方式:1.通過MOS Driver2.Photocoupler(帶安規(guī)隔離),3.脈沖變壓器(分上管,下管) 4.PWM開關(guān)模式,常開
三極管:常講的信號放大作用,這也是三極管的基本特性.

另對MOSFET如果電壓Vdss高到一定程度,如600V,900V,1200V,業(yè)內(nèi)一般就用IGBT了,就不用MOSFET了.

另對MOSFET如果電壓Vdss高到一定程度,如600V,900V,1200V,業(yè)內(nèi)一般就用IGBT了,就不用MOSFET了.