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什么是場效應管的夾斷電圧和開啟電壓
根據三極管的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件  什么是場效應管的夾斷電圧和開啟電壓
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  1.概念:
  場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管.由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導體器件.
  特點:
  具有輸入電阻高（100000000～1000000000Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、**工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者.
  作用:
  場效應管可應用于放大.由于場效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器.
  場效應管可以用作電子開關.
  場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換.場效應管可以用作可變電阻.場效應管可以方便地用作恒流源.
  2.場效應管的分類:
  場效應管分結型、絕緣柵型(MOS)兩大類
  按溝道材料:結型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.
  按導電方式:耗盡型與增強型,結型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。
  場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管,而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類.見下圖 :
  3.場效應管的主要參數 :
  Idss — 飽和漏源電流.是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓UGS=0時的漏源電流.
  Up — 夾斷電壓.是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓.
  Ut — 開啟電壓.是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓.
  gM — 跨導.是表示柵源電壓UGS — 對漏極電流ID的控制能力,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值.gM 是衡量場效應管放大能力的重要參數.
  BVDS — 漏源擊穿電壓.是指柵源電壓UGS一定時,場效應管正常工作所能承受的*大漏源電壓.這是一項極限參數,加在場效應管上的工作電壓必須小于BVDS.
  PDSM — *大耗散功率,也是一項極限參數,是指場效應管性能不變壞時所允許的*大漏源耗散功率.使用時,場效應管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量.
  IDSM — *大漏源電流.是一項極限參數,是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的*大電流.場效應管的工作電流不應超過IDSM
  Cds---漏-源電容
  Cdu---漏-襯底電容
  Cgd---柵-源電容
  Cgs---漏-源電容
  Ciss---柵短路共源輸入電容
  Coss---柵短路共源輸出電容
  Crss---柵短路共源反向傳輸電容
  D---占空比（占空系數，外電路參數）
  di/dt---電流上升率（外電路參數）
  dv/dt---電壓上升率（外電路參數）
  ID---漏極電流（直流）
  IDM---漏極脈沖電流
  ID(on)---通態漏極電流
  IDQ---靜態漏極電流（射頻功率管）
  IDS---漏源電流
  IDSM---*大漏源電流
  IDSS---柵-源短路時，漏極電流
  IDS(sat)---溝道飽和電流（漏源飽和電流）
  IG---柵極電流（直流）
  IGF---正向柵電流
  IGR---反向柵電流
  IGDO---源極開路時，截止柵電流
  IGSO---漏極開路時，截止柵電流
  IGM---柵極脈沖電流
  IGP---柵極峰值電流
  IF---二極管正向電流
  IGSS---漏極短路時截止柵電流
  IDSS1---對管**管漏源飽和電流
  IDSS2---對管**管漏源飽和電流
  Iu---襯底電流
  Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數）
  gfs---正向跨導
  Gp---功率增益
  Gps---共源極中和高頻功率增益
  GpG---共柵極中和高頻功率增益
  GPD---共漏極中和高頻功率增益
  ggd---柵漏電導
  gds---漏源電導